|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2061281 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 4762808, кл. H 01L 21/205, опублик. 1988. Kuznetsov V., van Oort R.C. and Metselaar J.W. Plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon. Effectof rf power. /J. Appl. Phys. 65/1989/, 575-580. Заявка EP - 0181113, кл. H 01L 21/205, опублик. 1986.Заявка Японии N 63-622241, кл. H 01L 21/205, опублик. 1988. M. Petrich, Chemtech N 12 /1989/, p. 742-749. |
| Имя заявителя: | Московский институт электронной техники | | Изобретатели: | Айвазов А.А.
Будагян Б.Г.
Сазонов А.Ю.
Приходько Е.Л. | | Патентообладатели: | Московский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: технология полупроводниковых приборов на основе тонких пленок аморфного кремния. Сущность изобретения: способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния включает осаждение пленки на нагретую подложку путем разложения газовой смеси, содержащей моносилан, водород и газообразный аммиак, в высокочастотной плазме тлеющего разряда, количество аммиака в смеси 1 - 4 объемных процента. Способ позволяет получить пленки с термически стабильными электрофизическими и структурными характеристиками, а также с высокой адгезионной способностью.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента