|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗУМРУДА |  |
Номер публикации патента: 2061108 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B009/12 C30B029/34 | | Аналоги изобретения: | 1. Гулев В.С. и др. Перестраиваемый лазер на изумруде, ввыращенном флюсовым методом. Квантовая электроника. т.14, 10, 1987, с.1990-1991. 2. Патент Японии N 47-27639, кл. B 01J 17/04, 1972. 3. Патент США N 3341302, кл. B 01J 17/04, 1967. |
| Имя заявителя: | Институт минералогии и петрографии СО РАН | | Изобретатели: | Храненко Г.Г.
Вейс Н.С. | | Патентообладатели: | Институт минералогии и петрографии СО РАН |
Реферат | |
Использование: при выращивании высокочистых монокристаллов изумруда методом температурного перепада на ориентированную затравку из расплава, содержащего исходный материал из оксидов бериллия, алюминия и кремния с активирующими добавками, и флюса - растворителя. Сущность изобретения: по условиям растворимости каждого из составлюющих окислов изумруда подбирают состав нелетучего флюса, обеспечивающего высокую скорость раста однородного слоя на затравку. В качестве флюса-растворителя используют смесь вольфрамата и ванадата висмута или вольфрамата висмута и свинца, взятых в соотношении (2 -4) : 1. Для наращивания однородного по качеству слоя на затравку, ориентированную параллельно призме  исходные окислы берут в соотношении, близком к стехиометрическому составу берилла или с избытком до 10 мас.% окиси алюминия. Для затравки, ориентированной параллельно призме  берут избыток до 30 - 50 мас.% окиси бериллия по отношению к стехиометрии. Для увеличения скорости роста систему можно дополнительно охлаждать со скоростью 0,05 - 0,06 град/ч. Получают кристаллы высокого ювелирного и оптического качества. 3 з. п. ф-лы, 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента