Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТАНОВКА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

Номер публикации патента: 2061092

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5024440 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C23C014/32    
Аналоги изобретения: 1. Патент РФ N 1834911,кл. C 23C 14/32, 1991. 

Имя заявителя: Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" 
Изобретатели: Саблев Л.П.
Григорьев С.Н. 
Патентообладатели: Научно-производственное предприятие "НОВАТЕХ" 

Реферат


Использование: для вакуумно-плазменной обработки инструмента, деталей машин и прочих изделий из различных материалов. Вакуумная камера разделена на две симметричные полости посредством перегородки, закрепленной на стенке камеры, а между вторым концом перегородки и противолежащей стенкой камеры имеется зазор, через который сообщаются упомянутые полости. Анод и катод двуступенчатого вакуумно-дугового разряда расположены на стенке камеры со стороны закрепленного конца перегородки по обе стороны от нее. В каждой из упомянутых полостей камеры, параллельно перегородке установлены распыляемые электроды со смещением относительно осей симметрии полостей к соответствующей стенке камеры, параллельной перегородке. В качестве перегородки может быть использована непосредственно обрабатываемая деталь, установленная на соответствующим образом расположенном держателе. Данное конструктивное выполнение позволяет создать два встречно направленных тока разряда, протекающих от анода к катоду. Встречно направленные токи создают магнитные поля, которые отклоняют электронный поток в направлении распыляемой мишени (распыляемых электродов), тем самым увеличивая плотность ионного тока на мишень и, соответственно, производительность установки. 2 с. и 2 з. п. ф-лы, 4 ил, 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"