|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ СУЛЬФИДА ЦИНКА, ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ (II) |  |
Номер публикации патента: 2061015 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C09K011/56 C30B023/02 | | Аналоги изобретения: | 1. K. Hirabayashi, H. Kozawaguchi. Zns: Mn Electroluminescent Device Prepared by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition. // Jap. Journal Appl. Phus. 1986, Vol. 25, N 5, - p. 711-713. 2. R.G.Dhere, T.A.Gessert, LL. Schilling, A.J.Nelson, K.M.Jones, H.Aharoni and T.J.Coutts. Electro-optical properties of thin indium tin oxide films: limitation on performance // Solar Cells. 1987, v. 21, P. 281-290. 3. D.C.Morton, M.R.Miller, A.Vecht, S.Saunder, G. Tyrell, E.Hryckowian, R.J.Zeto, L.Calderon, R.T.Larean. Chemical vapor deposition of thin films for ACEL // Electroluminescence: Proc. 4tn Jnt. Workshop, Tottori, Oct. 11-14, 1988. - Bellin etc., 1989, p. 228-231. |
| Имя заявителя: | Институт неорганической химии СО РАН | | Изобретатели: | Белый В.И.
Расторгуев А.А.
Иванова Е.Н.
Ларионов С.В.
Кириченко В.Н.
Бессергенев В.Г.
Ковалевская Ю.А. | | Патентообладатели: | Институт неорганической химии СО РАН |
Реферат | |
Использование: в опто-электронике, преимущественно для изготовления тонкопленочных электролюминесцентных визуальных индикаторов. Сущность изобретения: шихту из бис (изопропилксантоненато) (2,2,-бипиридил) цинка и бис (изопропилксантогенато) (2,2,-бипиридил) марганца, взятых в мольном соотношении 1000 : (1 - 20), нагревают при температуре испарителя 110 - 130oС, осуществляют перенос паров, а затем проводят термическое разложение в вакууме 1 · 10-5 - 1 · 10-6 торр при температуре подложки 150 - 300oС. Интенсивная фотолюминесценция полученных слоев толщиной ~ 300-600 нм на длине волны 580 нм при возбуждении U ~ 75-100 В и частоте 1 - 5 кГц. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента