Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СУРЬМЫ И ВИСМУТА

Номер публикации патента: 2058441

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93028328 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/12    
Аналоги изобретения: Абрикосов Н.Х. и др. Исследование монокристаллов твердых растворов системы Bi<SB>2</SB>Te<SB>3</SB> - Bi<SB>2</SB>Se<SB>3</SB> - Sb<SB>2</SB>Te<SB>3</SB>. - изв.АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1979, т.15, N 7, с.1181-1184. 

Имя заявителя: Институт металлургии им.Байкова РАН 
Изобретатели: Иванова Л.Д.
Гранаткина Ю.В.
Бровикова С.А.
Сидоров Ю.А. 
Патентообладатели: Институт металлургии им.Байкова РАН 

Реферат


Использование: для выращивания полупроводниковых материалов методом Чохральского. Сущность изобретения: монокристалл выращивают на затравку конической формы с диаметром основания, равным диаметру монокристалла. Перед выращиванием затравку опускают в расплав температурой 600oС и выдерживают 20 - 30 мин при наличии радиального градиента температуры 5 - 6oС/мм. Вытягивание ведут со скоростью 15 - 18 мм/ч при осевом градиенте 5,2 - 5,8oС/мм. Скорости вращения затравки и тигля - 15 - 30 об/мин и 5 - 10 об/мин. Отрывают выращенный кристалл за 5 - 10 мин при перегреве расплава на 20 - 30oС и охлаждают со скоростью 4 - 5oС до 300oС, а затем со скоростью 6 - 7oС/мин до комнатной температуры. 1 з. п. ф-лы, 2 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"