|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ СВОБОДНЫХ ОСНОВАНИЙ ПОРФИРИНОВ ИЗ ИХ СМЕСЕЙ С УГЛЕВОДОРОДНЫМИ И ГЕТЕРООРГАНИЧЕСКИМИ КОМПОНЕНТАМИ |  |
Номер публикации патента: 2058315 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C07D487/22 | | Аналоги изобретения: | 1. Тарасевич М.Р. и Радюшкина К.А. Катализ и электролиз металлопорфиринами, М.: Наука, 1982, с.168. 2. Тарасевич М.Р., Радюшкина К.А. и Богдановская В.А. Электрохимия порфиринов. М.: Наука, 1991, с.312. 3. Радюшкина К.А., Антипенко В.Р., Новикова Е.М. и др. Порфирины нефти - электрокатализаторы для реакции катодного восстановления кислорода. Электрохимия, 1985, т.21, вып.10, с.1390. 4. Радюшкина К.А., Антипенко В.Р., Новикова Е.М. и др. Электровосстановление кислорода на нефтяных порфиринах. Доклады АН СССР, 1986, т.288, N 2, с.397. 5. Constantinides Y, Arich Y., Lomi C., Deteminazione c comportamento degli agsregati pasfi^inici nei residui petroliferi e bitumi, Chimica e industria, 1959, v. 41, n 9, p. 861. 6. Sugihara Z.M., Jaruey R.J., Determihation ef Vanadyl Posphyrins by Demetalation With Hydrogem Bromide, Formic Acid, Analyt. Chem., 1964, v. 36, n 12, p. 2374 |
| Имя заявителя: | Институт химии нефти СО РАН | | Изобретатели: | Антипенко В.Р.
Певнева Г.С.
Земцева Л.И.
Бордунов В.В. | | Патентообладатели: | Институт химии нефти СО РАН |
Реферат | |
Использование: в качестве катализаторов окислительно-восстановительных процессов, например электровосстановителя кислорода. Сущность изобретения: продукт: свободные основания порфиринов, которые выделяют из их смеси с углеводородными и гетероорганическими компонентами экстракцией из гексан-бензольного раствора при объемном соотношении гексана и бензола (2 - 4) : 1 полифторированным спиртом, таким как 5-гидро-2,3,4,5-октафторпентанол-1. Степень извлечения порфиринов 88,6%. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента