|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТУГОПЛАВКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2056463 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B015/00 C30B029/20 | | Аналоги изобретения: | 1. Bardsley W., Cockayne. Growth and perfection of high melting point oxides. - J. Phys. and Chem. Solids, 1967, Suppl, N 1, p.109 - 113. 2. Мусатов М.И. Влияние градиентов температуры на форму фронта и скорость кристаллизации. Тр. оптического ин-та, 1983, 54, N 188, с.41 - 45. |
| Имя заявителя: | Мусатов Михаил Иванович | | Изобретатели: | Мусатов Михаил Иванович | | Патентообладатели: | Мусатов Михаил Иванович |
Реферат | |
Использование: для получения тугоплавких монокристаллов типа сапфира, рубина, граната методом Чохральского. Затравку вносят при появлении на поверхности расплава единичного кристалла. Вытягивание ведут при ступенчатом увеличении скорости. Расплав охлаждают со скоростью 0,5 - 2,0oС/ч, а кристалл - со скоростью 25 - 50oС/ч.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента