Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Номер публикации патента: 2054495

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5048442/26 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B017/00    
Аналоги изобретения: Файфер С.И. и др. Состояние и перспективы развития производства высококачественных монокристаллов арсенида галлия. Электронная техника, сер. Материалы, 1988, В.2(231) с. 3 - 9. Jacob G. A novel crystal growth method for Ga AS the liquid encapsulated Kyropoulos method - J.Crystal Growth, 1982, v.58, N 2, p 455-459. 

Имя заявителя: Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" (UA) 
Изобретатели: Ковтун Геннадий Прокофьевич[UA]
Кравченко Александр Иванович[UA]
Жуков Александр Иванович[UA]
Стерлев Александр Николаевич[UA]
Щербань Алексей Петрович[UA] 
Патентообладатели: Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" (UA) 

Реферат


Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. Способ ведут методом Киропулоса под слоем флюса. Затравку приводят в соприкосновение с расплавом в поле с градиентом температуры, направленным от затравки в объем расплава. Толщину слоя расплава выбирают равной толщине подложки схемы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"