Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ С S - ОБРАЗНОЙ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

Номер публикации патента: 2054209

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4872246/25 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/00    
Аналоги изобретения: 1. Викулин И.М. и др. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1980, с.296. 2. Викулин И.М. и др. "Электронная техника", серия 2, "Полупроводниковые приборы", 1986, вып. 3 (182), с.44-48. 3. Богданов А.В. и др. "Электронная техника", серия 2, "Полупроводниковые приборы", 1986, вып. 6 (185), с.3-5. 

Имя заявителя: Сафаров Абдиназар Сафарович (UZ) 
Изобретатели: Сафаров Абдиназар Сафарович[UZ]
Ахмеджанов Марат Рашидович[UZ]
Арсламбеков Владимир Александрович[UZ] 
Патентообладатели: Сафаров Абдиназар Сафарович (UZ) 

Реферат


Использование: изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе кремния и может быть использовано для изготовления туннельных диодов, приборов с отрицательными сопротивлениями. Сущность изобретения: кремниевую пластину режут на кристаллы. Отжигают их в вакууме в три этапа.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"