|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ПЛАЗМЕ ГАЗОВОГО РАЗРЯДА |  |
Номер публикации патента: 2051987 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C014/32 | | Аналоги изобретения: | 1. Физика тонких пленок под ред. Г.Хасса и Р.Э. Туна, т.Ш М.: Мир, с.87, фиг.9. 2. Патент РФ 1834911, кл. C 23C 14/32, 1991. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное предприятие "Новатех" | | Изобретатели: | Саблев Леонид Павлович[UA]
Григорьев Сергей Николаевич[RU] | | Патентообладатели: | Научно-производственное предприятие "Новатех" |
Реферат | |
Использование: в вакуумно-плазменной обработке изделий, преимущественно в установках для нанесения покрытий ионным распылением в газовой ступени плазмы двухступенчатого вакуумно-дугового разряда. Сущность изобретения: установка содержит вакуумную камеру 1, интегрально-холодный катод 2 двухступенчатого вакуумно-дугового разряда, анод, выполненный в виде изолированных друг от друга секций 3, распыляемую мишень, расположенную между анодом и катодом 2, а также непроницаемое для ионов металла средство
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента