|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ p |  |
Номер публикации патента: 2045107 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | 1. Mark E. Ireiner, Charles I.Martin InAs - photovoltaic detectors - echivements in production. Proc. SPIE, 1986, p.686. |
| Имя заявителя: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" | | Изобретатели: | Астахов В.П.
Данилов Ю.А.
Давыдов В.Н.
Лесников В.П.
Дудкин В.Ф.
Сидорова Г.Ю.
Таубкин И.И.
Трохин А.С. | | Патентообладатели: | Государственное предприятие Научно-производственное объединение "Орион" |
Реферат | |
Использование: в способах, предназначенных для изготовления диодов, транзисторов, в том числе фотодиодов и фототранзисторов, а также приборов на кристаллах арсенида индия. Сущность изобретения: способ изготовления планарных p+- n -переходов на кристаллах inAs n-типа проводимости основан на методе ионной имплантации с последующим отжигом.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента