Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ ПРИ ПОСТОЯННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ

Номер публикации патента: 2040597

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 93014184/26 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B011/00    
Аналоги изобретения: 1. Вильке К.Т. Методы выращивания кристаллов. Л. : Недра, 1968, с.68. 

Имя заявителя: Институт кристаллографии РАН 
Изобретатели: Кузнецов В.А.
Охрименко Т.М.
Оболенский В.А.
Федоров А.Е.
Матюшкина М.Л. 
Патентообладатели: Институт кристаллографии РАН 

Реферат


Использование: в технологии выращивания различных кристаллов из низкотемпературных водных растворов. Сущность изобретения установка, состоящая из трех сосудов (для роста кристаллов, досыщения и перегрева раствора) дополнительно содержит единый для всех трех сосудов термостат, в котором данные сосуды расположены.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"