Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 2035530

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5018922/26 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/22    
Аналоги изобретения: Влияние морфологии роста кристаллов InSb, выращиваемых в присутствии УЗ-колебаний. - Электроника, 1985, реф.N 9Г342. 

Имя заявителя: Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] 
Изобретатели: Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] 
Патентообладатели: Кожемякин Геннадий Николаевич[UA] 

Реферат


Использование: технология получения кристаллов полупроводниковых и металлических материалов. Сущность изобретения: кристаллы выращивают методом Чохральского без вращения тигля и затравки, либо при вращении тигля со скоростью не более 30 об/мин и затравки - не более 80 об/мин и с частотой ультразвука 10,1-5103кГц.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"