|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ФОТОПРИЕМНОЙ ЯЧЕЙКИ |  |
Номер публикации патента: 2034369 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/14 | | Аналоги изобретения: | 1. Фотоприемники и фотопреобразователи: Сб. статей /Под ред. Ж.И.Алферова, Ю.В.Шмарцева. Л.: Наука, 1986, с.7. |
| Имя заявителя: | Величко Александр Андреевич | | Изобретатели: | Величко Александр Андреевич | | Патентообладатели: | Величко Александр Андреевич |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции фотоприемной ячейки на основе МДП-структуры. Сущность изобретения: известная полупроводниковая гетероэпитаксиальная структура для фотоприемной ячейки, включающая подложку из арсенида галлия n-типа и размещенный на ней гетероэпитаксиальный слой арсенида индия n-типа, содержит дополнительно два сильнолегированных слоя n+ типа, причем первый находится на границе раздела с подложкой и имеет толщину, равную т
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента