Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОИЗОБРАЖЕНИЙ

Номер публикации патента: 2032249

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4892799 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/312    
Аналоги изобретения: 1. VLSI Electronics: Mikrostrukture Science, Vol.16, Lithography for VLSI, Edited by Norman G. Einspru sh 1987, by Acodemic press. 

Имя заявителя: Центр "Дока" 
Изобретатели: Смоляницкий И.Я.
Щербакова М.Ю.
Дьяков Ю.Н.
Кононов А.Н.
Артемова Н.Д.
Шульгин А.А.
Вернер В.Д. 
Патентообладатели: Российский научно-исследовательский институт технологий микроэлектроники 

Реферат


Назначение: технология микроэлектроники. Сущность изобретения: экспонирование слоя электронорезиста (ЭР) на подложке осуществляют электронным лучом произвольного сечения серией электронных штампов (Ш) за несколько циклов. Набор оптимальной фазы облучения осуществляется малыми порциями при высокой плотности тока луча и обеспечении достаточного для остывания ЭР, используется для облучения других элементов топологического рисунка. Повышение плотности тока луча приводит к снижению времени, затрачиваемого на облучение, несмотря на увеличение общего числа Ш. Дополнительно к разделению, дозы облучения на порции достичь сокращения времени облучения можно за счет оптимального выбора площади сечения луча в плоскости фокусировки. Приведены выражения для расчета оптимальной площади Ш и количества циклов облучения исходя из параметров ЭР и электронно-лучевой установки. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 5 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"