Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Номер публикации патента: 2029394

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4942636 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G11C011/40    
Аналоги изобретения: Staufer U, Scandella L, Wiesendangen Direct Writing of nanometer scale structures on glassy metals by the scanning tunneling microscope // Z, Phys B. 1989, v.77, N 2, рр.281-286. 

Имя заявителя: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 
Изобретатели: Портнов С.М.
Варламов О.И.
Зимин А.В.
Инкин В.Н.
Емельянов А.В. 
Патентообладатели: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина 

Реферат


Изобретение относится к запоминающим устройствам, запись и считывание информации в которых осуществляется с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа. Целью изобретения является повышение надежности накопителя. Это достигается тем, что в качестве накопителя для ПЗУ используют атомно-гладкую подложку, например, из монокристаллического графита, покрытую гексаметилдисилазана. Запись информации в накопитель требует достаточно низких туннельных напряжений (не более 5В), при которых деградация туннельных зондов не происходит. В качестве подложки может использоваться монокристаллический диэлектрик, например слюда, на атомно-гладкой поверхности которого расположен эпитаксиальный проводящий слой, например из серебра. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"