|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2024993 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/312 | | Аналоги изобретения: | Патент США N 3900337, H 01L 21/312, опублик. 1975. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | | Изобретатели: | Хаханина Т.И.
Красавина Л.З.
Клюева Т.Б.
Шмелева Т.Б.
Красников Г.Я.
Карбаинов Ю.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Томский политехнический институ |
Реферат | |
Использование: изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковой микроэлектроники. Сущность изобретения: способ обработки поверхности полупроводниковых пластин осуществляют в непрерывном цикле. Способ включает очистку полупроводниковых пластин в проточной емкости с моющим раствором на основе серной кислоты, а также очистку раствора и его активацию в электрохимической ячейке, в качестве моющего раствора используют 3 - 7 М 25 - 50% -ный раствор серной кислоты, при этом весь его объем, необходимый для осуществления непрерывного цикла, подают последовательно через катодную и анодную камеры электрохимической ячейки, подвергая его активации при плотности анодного тока 3-4,8 кА/м2 и напряжении на электродах 3,0 - 5,0 В, активированный моющий раствор подают в ванну для обработки полупроводниковых пластин, а весь отработанный раствор направляют для повторной активации и очистки в электрохимическую ячейку. 1 ил, 6 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента