Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

Номер публикации патента: 2024108

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4943620/25 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/76    
Аналоги изобретения: 1. Заявка Японии N 63-2347, кл. H 01L 21/76, 1988. 

Имя заявителя: Акционерное общество "Кремний" 
Изобретатели: Брюхно Н.А.
Гарбуз Б.А.
Громов В.И.
Ким Ю.В.
Ковалев Г.М.
Смирнов В.А. 
Патентообладатели: Акционерное общество "Кремний" 

Реферат


Использование: в микроэлектронике, технологии изготовления высоковольтных мощных микросхем с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении микросхем с диэлектрической изоляцией на плоскопараллельной монокристаллической слаболегированной кремниевой пластине вытравливают разделительные канавки, формируют сильнолегированный скрытый слой того же типа проводимости, что и пластина, формируют изоляционный окисел, поликремниевую подложку и удаляют монокристаллический кремний для форм


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"