Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 2023770

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4852748/26 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/00   C30B029/40    
Аналоги изобретения: 1. Г.Антелл. Исследование метода выращивания кристаллов G aP и G aAS из паровой фазы. Новые полупроводниковые материалы. М.:Металлургиздат, 1964, с.244. (56) 

Имя заявителя: Научно-исследовательский институт "Научный центр" 
Изобретатели: Марков Е.В.
Чегнов В.П.
Переплетчиков В.С.
Куликов А.П.
Корнев С.А. 
Патентообладатели: Научно-исследовательский институт "Научный центр" 

Реферат


Использование: в технологии получения соединений A3B5 осаждением из газовой фазы. Сущность изобретения: при выращивании кристаллов в ампулу дополнительно вводят транспортный агент и процесс ведут при температуре источника на 100 - 600°С ниже температуры плавления соединения, температуре затравки на 5 - 100°С ниже температуры источника и давлении легколетучего компонента в диапазоне от равновесного значения при температуре затравки до 1 атм.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"