|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПРОЯВЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА |  |
Номер публикации патента: 2022309 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | G03F007/26 | | Аналоги изобретения: | Патент ЕПВ N 0084075, кл. H 01L 21/60, 1982. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения | | Изобретатели: | Урывский Ю.И.
Чуриков А.А.
Акинин А.Л.
Иванов В.С.
Преображенский П.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения |
Реферат | |
Использование: в технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. Сущность изобретения: подложку с экспонированной пленкой фоторезиста размещают на центрифуге, устанавливают над ее поверхностью стеклянную пластину толщиной 3 - 5 мм с зазором 0,5 - 1 мм. Подают на поверхность подложки проявитель, вращают ее и освещают монохроматическим светом, контролируя окончание процесса проявления. В результате повышается точность определения момента окончания процесса проявления. 4 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента