|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ |  |
Номер публикации патента: 2020614 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G11C011/40 | | Аналоги изобретения: | 1. Валиев К.А. и др. Интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. М.: Сов.радио, 1979, с.118. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | | Изобретатели: | Игнатьев С.М. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники |
Реферат | |
Изобретение относится к запоминающим устройствам на биполярных транзисторах. Целью является повышение быстродействия, помехоустойчивости и надежности работы матричного накопителя в режиме считывания информации, которая достигается изменением связей транзисторов 3, 4 связи и нагрузочных резисторов 5, 6 буферного элемента 2, позволяющим снизить задерживающее влияние процесса переключения узловых напряжений входов 7, 8 выборки за счет уменьшения перепада напряжений на этих узлах, ускорить процесс фо
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента