Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БОРАТА ГАЛЛИЯ GaBO

Номер публикации патента: 2019584

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4931917/26 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B009/12   C30B029/22    
Аналоги изобретения: Руденко В.В. Магнитная анизотропия ромбоэдрических антиферромагнитных кристаллов со слабым ферромагнетизмом. Кандидатская диссертация. Симферополь, 1983 г., с.113-117. 

Имя заявителя: Институт физики им.Л.В.Киренского СО РАН 
Изобретатели: Петраковский Г.А.
Руденко В.В.
Степанов Г.Н. 
Патентообладатели: Институт физики им.Л.В.Киренского СО РАН 

Реферат


Использование: управляемая раствор-расплавная кристаллизация при получении GaBO3 для физического эксперимента и оптоэлектроники. Сущность изобретения: раствор-расплав, содержащий Ga2O3, B2O3, PbO - PbF2 , перегревают до 950-1000°С с перемешиванием, охлаждают до 815 - 845°С выдерживают 22 - 24 ч с перемешиванием, затем температуру поднимают до 820 - 850°С с последующим понижением по закону (10-7-10-8)t3 до 810 - 840°С, где t - время в часах.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"