|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОРТОФОСФАТА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2019583 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C30B007/10 C30B029/14 | | Аналоги изобретения: | Даньков И.А. и др. Электромеханические свойства фосфата галлия в температурном диапазоне (-196 - 723°С). Кристаллография. 1992. Т.36. Вып.2. с.504-507. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН | | Изобретатели: | Зверева О.В.
Мининзон Ю.М.
Демьянец Л.Н. | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН |
Реферат | |
Использование: в электромеханических преобразователях. Сущность изобретения: исходную шихту приготовляют из смеси Ga2O3 и NH4H2PO4, которые берут в соотношении 1 : 1 - 1 : 2 и обжигают при 700 - 800°С. Затем из раствора полученной шихты в концентрированной ортофосфорной кислоте при 400 - 450°С, давлении инертного газа 75 - 100 атм и прямом температурном перепаде гидротермально выращивают монокристаллы ортофосфата гелия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента