Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Номер публикации патента: 2018193

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 4944096/25 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/66    
Аналоги изобретения: 1. Мильбурн Г., Рентгеновская кристаллография, - М.: Мир, 1975, с.56. 

Имя заявителя: Институт физики им.Б.И.Степанова АН Беларуси 
Изобретатели: Яблонский Г.П.
Гладыщук А.А.
Зыкова Т.Л.
Ракович Ю.П. 
Патентообладатели: Институт физики им.Б.И.Степанова АН Беларуси 

Реферат


Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам определения кристаллографической полярности поверхностей полупроводниковых кристаллов cds. Сущность изобретения: каждую поверхность образца освещают светом, регистрируют спектр экситонного излучения в диапазоне длин волн 482-496 нм и определяют кристаллографическую полярность для высокоомных кристаллов на основе сравнения полуширины линии экситонного излучения каждой из поверхности, а для низкоомных кристаллов -


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"