На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

Способ получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов

Номер публикации патента: 2002340

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  5026935		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией эпементоа Сущность изобретения: при изготовлении структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и слой поликристаллического кремния толщиной на 5 - 100% больше глубины рельефа На слой поликристаллического кремния и на

Вернуться к списку