|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 1820781 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/205 | | Аналоги изобретения: | 1. Watanabe K. et all. The properties of LPCVD SiO<SB>2</SB> films depositied by SiH<SB>2</SB>Cl<SB>2</SB> and N<SB>2</SB>O mixtures // J. Electrochemical society, 1981, v. 128, N 12, p. 2630 - 2635. 2. Vogel R.H. et all. Electrical properties of silicon dioxide films fabricated at 700<SP>o</SP>C // J. Pyrolisis of tetraetoxysilane, 1985, v. 14, N 3, p. 329 - 342. |
| Имя заявителя: | Научно-производственное объединение "Интеграл" | | Изобретатели: | Турцевич А.С.
Красницкий В.Я.
Козлов А.Л.
Кабаков М.М.
Петрович Н.П.
Вискуп |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления электронной техники, в частности к технологии осаждения пленки двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано для создания диэлектрических слоев при производстве сверхбольших интегральных схем. Сущность: изобретение позволяет повысить качество пленки путем снижения дефектности и повышения электрической прочности. Для этого в реакторе пониженного давления перед осаждением пленки двуокиси кремния проводят продувку сухим кислородом при давлении 15-150 Па в течение 5-15 мин при температуре осаждения, а также продувку кислородом с содержанием озона 2-6 об.% при давлении 5-60 Па в течение 3-10 мин.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента