|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ ГЕТТЕРОМ |  |
Номер публикации патента: 1797403 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | Немцев Г.З. и др. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. - Обзор "Зарубежная электронная техника", 1981, вып.11 (245), с.43-45. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Енишерлова-Вельяшева К.Л.
Алешин А.Н.
Мордкович В.Н.
Русак Т.Ф.
Казакевич |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет повышения однородности распределения легирующей примеси в эпитаксиальном слое и уменьшения в нем плотности дефектов кристаллической решетки. Из слитка монокристаллического кремния изготавливают подложки с финишной химико-механической полировкой рабочих поверхностей на основе аэросила. В рабочую поверхность проводят имплантацию ионов углерода дозой 100-200 мкКл/см2 с энергией 260-350 кэВ. Затем проводят имплантацию ионов кислорода дозой 300-400 мкКл/см2 с энергией, обеспечивающей совпадение средних проецированных пробегов ионов кислорода и углерода. После имплантации проводят очистку пластин в перекисно-аммиачном растворе, промывку и сушку. Далее проводят газовое травление в среде HCl+H2 для удаления слоя толщиной (0,1-0,2)Rp, где Rp - средний проецированный пробег ионов. После этого хлоридным методом наращивают эпитаксиальную пленку толщиной 2,5-3 мкм. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента