|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 1792557 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | B24B031/00 | | Аналоги изобретения: | Бочкин О.И. и др. Механическая обработка полупроводниковых материалов, М.:Высшая школа, 1983, с.46-48. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Тюнькова З.В.
Смычникова И.В.
Башевская О.С.
Белов Н.И.
Рогов В.В. | | Патентообладатели: | Тюнькова Зоя Васильевна
Смычникова Ирина Васильевна
Башевская Ольга Сергеевна
Белов Николай Иванович
Рогов Владимир Виктор |
Реферат | |
Использование: при алмазном полировании пластин кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: прижимают пластины к полировальнику и придают им относительное вращение пластинам и полировальнику. При этом берут полировальник из тканевого безворсового материала. Масло наносят на полировальник, по крайней мере в два этапа, на первом из которых на 1 м2 поверхности наносят 110 - 180 мл масла, а на последующих - при периодическом контроле отклонения от плоскости дополнительно наносят масло в количестве, которое выбирают по формуле V = (5 - 8) S h, где S - площадь обрабатываемых пластин; h - толщина удаляемого слоя с поверхности пластин. При обработке пластин из арсенида галлия частоту вращения полировальника выбирают в пределах 30 - 50 об/мин, давление прижатия пластин 55-80 г/см2, а контроль отклонения от плоскостности осуществляют через 20 - 50 мин. 1 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента