На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ОКОН В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Номер публикации патента: 1627000

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4699749		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния. Цель - повышение выхода годных за счет предотвращения инверсии проводимости областей p-типа приборных элементов и деградации их параметров. Для этого на поверхности кремниевой структуры с приборными элементами формируют изолирующую пленку оксида кремния и на ней пленку фосфоросиликатного стекла. Над областями p-типа пленку оксида кремния формируют толще, чем над областями n-типа. По фоторезистивой маске с окнами под областями контактов к приборным элементам травят пленку фосфоросиликатного стекла и оксида кремния до вскрытия областей n-типа. Затем проводят диффузию фосфора и оплавление фосфоросиликатного стекла. Формируют фоторезистивную маску с окнами под области контактов к p-областям приборных элементов, имеющими линейные размеры меньшие, чем соответствующие окна предыдущей фоторезистивной маски. По данной маске вскрывают окна к p-областям, удаляют маску и стравливают пленку фосфоросиликатного стекла, образовавшуюся в окнах к n-областям. 8 ил.

Вернуться к списку