|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ |  |
Номер публикации патента: 1621562 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B015/04 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | Brozel M.R., Laitlwaite K., Neuman R.C., Ozbay B., The properties of gallium arsenide or silicon and tin. "J. Cryst. Growth", 1980, 50, N3, 619-624. |
| Имя заявителя: | Московский институт электронного машиностроения | | Изобретатели: | Губенко А.Я. |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5. Способ позволяет снизить плотность дислокаций и повысить совершенство кристаллической структуры. Полупроводниковые соединения выращивают из жидкой фазы с добавкой легирующих примесей, в качестве которых используют In и/или Bi в сочетании с одним из элементов ряда Cd, In, Bi, Si, Pb в концентрациях каждого 1018 - 5·1020 см-3 при соотношении концентраций двух выбранных элементов 1:3 - 15. В результате повышается скорость роста пленок в 1,2-3 раза, снижается плотность дислокаций на 3 порядка. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента