Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Номер публикации патента: 1621562

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4664314 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/04   C30B029/40    
Аналоги изобретения: Brozel M.R., Laitlwaite K., Neuman R.C., Ozbay B., The properties of gallium arsenide or silicon and tin. "J. Cryst. Growth", 1980, 50, N3, 619-624. 

Имя заявителя: Московский институт электронного машиностроения 
Изобретатели: Губенко А.Я. 

Реферат


Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к производству полупроводниковых соединений, и может быть использовано для выращивания монокристалла на основе A3B5. Способ позволяет снизить плотность дислокаций и повысить совершенство кристаллической структуры. Полупроводниковые соединения выращивают из жидкой фазы с добавкой легирующих примесей, в качестве которых используют In и/или Bi в сочетании с одним из элементов ряда Cd, In, Bi, Si, Pb в концентрациях каждого 1018 - 5·1020 см-3 при соотношении концентраций двух выбранных элементов 1:3 - 15. В результате повышается скорость роста пленок в 1,2-3 раза, снижается плотность дислокаций на 3 порядка. 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"