|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИПА КДР |  |
Номер публикации патента: 1619750 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B007/00 C30B029/14 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1088412, кл. C 30 B 7/00, 1982. |
| Имя заявителя: | МГУ им.М.В.Ломоносова | | Изобретатели: | Зайцева Н.П.
Пономарев Г.Ю.
Рашкович Л. |
Реферат | |
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики. Целью изобретения является увеличение скорости роста кристаллов. Выращивание кристаллов ведут при постоянной скорости роста кристалла из точечной затравки Т-образной формы, жестко закрепленной в углублении платформы, путем увеличения пересыщения при снижении температуры водного раствора в соответствии с зависимостью. При этом раствор предварительно перегревают при температуре 75-80oC в течение 1-3 сут в условиях непрерывного перемешивания. Скорость роста кристаллов до 40 мм/сут. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента