Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЩЕЛОЧНО - ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Номер публикации патента: 1610942

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4673289 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B011/02   C30B029/12    
Аналоги изобретения: Авторское свидетельство СССР N 1029649, кл. C 30 B 11/02, 1981. 

Имя заявителя:  
Изобретатели: Бобыр В.И.
Илькин В.П.
Любинский В.Р.
Смирнов Н.Н.
Чиненов  

Реферат


Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс. Выращивание ведут вертикальной направленной кристаллизацией путем пропускания цилиндрической ампулы с расплавом через охлаждаемую диафрагму со скоростью V. Сначала расплав перегревают на &Dgr;t1= 30-50°C выше t плавления и в течение времени t1=(hk + hx)/V выращивают конусную часть кристалла, затем со скоростью U1= 0,3(&Dgr;t2-&Dgr;t1)V(hx-hc) увеличивают перегрев до величины &Dgr;t2= 50-100°C и выращивают цилиндрическую часть кристалла заданной длины (Hц) в течение времени t2=Hц/3V, а затем перегрев опять увеличивают со скоростью U2= 0,2(&Dgr;t3-&Dgr;t2)V/(hc-hb) до величины &Dgr;t3= 100-150°C, после чего ампулу охлаждают, где hk - высота конусной части ампулы, мм; hx, hc и hb - расстояние от верха диафрагмы до положения изотермы, соответствующей t плавления при перегреве &Dgr;t1,&Dgr;t2 и &Dgr;t3, соответственно. 2 ил., 1 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"