На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ТВЕРДЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ФОСФОРА

Номер публикации патента: 1563507

Вид документа:  C  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  4380870		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к технологии интегральных схем, в частности к конструкции твердых планарных источников диффузии фосфора, которые применяются для выполнения технологических процессов диффузии при создании эмиттерных областей активных элементов, стабилизации окисла фосфорно-силикатным стеклом, легирования сток-истоковых областей МДП-транзисторов, легирования поликремния и т.д. Целью изобретения является увеличение срока эксплуатации за счет увеличения степени заполнения площади кремниевой подложки диффузантом и массы диффузанта и повышение термомеханических свойств источника. Твердый планарный источник диффузии фосфора представляет собой шайбу-кремниевую подложку, содержащую на обеих сторонах отдельные квадратные или прямоугольные блоки диффузанта на основе метафосфата алюминия со сторонами 1,6 - 5,0 и высотой 0,9 - 2,5 от толщины подложки, с зазором между ними 0,3 - 0,9 от толщины подложки, при толщине подложки 0,0065 - 0,0090 от ее диаметра, заполняющими подложку на расстоянии 0,025 - 0,050 ее диаметра. Изобретение позволяет повысить массу диффузанта в 2 - 4 раза и длительность эксплуатации источников в 2 раза. 2 ил., 3 табл.

Вернуться к списку