На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ

Номер публикации патента: 1556432

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  4386588		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик приборов и повышение выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности соединения внешних выводов с контактными площадками и увеличения плотности компоновки приборов. Для этого при изготовлении полупроводниковых приборов после формирования в кремниевой подложке p-n-перехода с элементами краевой защиты, например, с охранными диффузионными кольцами и создания электродов с контактными площадками осаждают маскирующую пленку окисла кремния при температуре подложки 400°С, затем вскрывают поверхности подложки над элементами краевой защиты, наносят пленку полуизолирующего поликремния, вскрывают контактные площадки, проводят термообработку при 400-450°С и осуществляют присоединение внешних выводов к контактным площадкам. Предотвращение взаимодействия между пассивирующей пленкой поликремния и металлизацией устраняет эффекты повышения сопротивления электродов и обеспечивают повышенную прочность соединения внешних выводов с контактными площадками. Температурные режимы процесса изготовления прибора устраняют проплавление кремния алюминиевой металлизацией в областях контактов, что позволяет уменьшить размеры элементов приборов. 5 ил.

Вернуться к списку