|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА |  |
Номер публикации патента: 1533567 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/223 | | Аналоги изобретения: | Andford T. et al. Millimeterwave ew I MPATT diodez and ascillators. IEEE Transactions on microwave theory and techniques. 1979, v. MTT-27, N 5, p. 483 - 491. Haitzmann M. et al. IEEE Transactions on electron devices, 1983, v. ED-30, N 7, p. 759 - 763. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Маркин Б
Снегирев В.П.
Рябов В.Н.
Никулов В.В. |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике, в частности к приборам, изготавливаемым на основе эпитаксиальных структур кремния, и может быть использовано в приборах, работающих на сверхвысоких частотах. Цель изобретения - снижение переходного сопротивления омического контакта. Приконтактный слой наращивают из газовой фазы при пониженном давлении в едином технологическом цикле с наращиванием активных слоев структур. Приконтактный слой формируют из газовой смеси следующего состава, об. %: кремнийсодержащая компонента (моносилан, дихлорсилан в пересчете на кремний) 0,05 - 0,1; диборан 0,0005 - 0,001; водород - остальное при 950 - 970oC. Затем отключают нагрев структур и повышают давление водорода в реакторе до атмосферного не более чем через 5 с по окончании эпитаксиального наращивания.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента