Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НЕ

Номер публикации патента: 1384129

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4100243 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L027/04    
Аналоги изобретения: Интегральные схемы на МДП-транзисторах. /Под ред. А.Н. Кармазинского. М.: Мир, 1975, с. 227, рис. 4.14а. Там же, рис. 4.14б. 

Имя заявителя:  
Изобретатели: Вето А.В.
Хотянов Б.М.
Шилин В. 

Реферат


Изобретение может быть использовано в качестве элементной базы цифровых БИС. Цель изобретения - повышение плотности компоновки. Логический элемент содержит полупроводниковую подложку p-типа, в которой сформирован n-канальный МДП-транзистор, затвор которого является входом, а сток - выходом элемента, и дополнительный n+-слой, созданный с обратной стороны подложки и подключенный к шине питания. Расстояние между дополнительным n+-слоем и областями стока и истока выбрано таким образом, что образуется биполярная транзисторная структура со сквозным обеднением. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"