На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Номер публикации патента: 1371445

Вид документа:  A1  Страна публикации:  SU  Рег. номер заявки:  3953730		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции. Целью изобретения является повышение плотности компоновки элементов интегральных схем за счет уменьшения межэлектродных расстояний и уменьшения числа фотолитографических операций за счет последовательного травления второго слоя поликристаллического кремния и диэлектрической пленки без применения фотолитографии. В способе изготовления интегральных транзисторов формируют в кремниевой подложке первого типа проводимости скрытый слой второго типа проводимости, наращивают эпитаксиальный слой второго типа проводимости и формируют комбинированную изоляцию. Затем охлаждают первый слой поликристаллического кремния, пленку нитрида кремния, прокисляют первый слой поликристаллического кремния и формируют пассивную базу, после чего формируют диэлектрическую пленку, окна под эмиттер, снова формируют диэлектрическую пленку и ионно-реактивным травлением удаляют ее с донных участков кремния, последующее осаждение второго слоя поликристаллического кремния производят до планарности всей рабочей поверхности полупроводниковой структуры, после чего травят второй слой поликристаллического кремния до выравнивания его поверхности с поверхностью первого слоя поликристаллического кремния в эмиттерном окне. Затем формируют области активной базы и эмиттера, стравливают диэлектрическую пленку с горизонтальной поверхности первого слоя поликристаллического кремния, формируют контакты. Данный способ позволяет реализовать транзисторную структуру с повышенной степенью интеграции с использованием одного фотошаблона за счет безмасочного селективного травления второго слоя поликристаллического кремния и окисла кремния. 5 ил.

Вернуться к списку