|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ |  |
Номер публикации патента: 1136501 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | C30B025/02 C30B029/40 | | Аналоги изобретения: | Патент Франции N 2304400, кл. B 01 J 17/32, от 15.10.76. Ejder E. Growth and morfology of GaN. - J. of Crystal Growth, 1974, v.22, p.44-46. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе | | Изобретатели: | Водаков Ю.А.
Мохов Е.Н.
Роенков А. |
Реферат | |
Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 - 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 - 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 - 1270oС и температуре источника на 10 - 50oС выше этой температуры.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента