Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

Номер публикации патента: 1136501

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 3538999 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/02   C30B029/40    
Аналоги изобретения: Патент Франции N 2304400, кл. B 01 J 17/32, от 15.10.76. Ejder E. Growth and morfology of GaN. - J. of Crystal Growth, 1974, v.22, p.44-46. 

Имя заявителя: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе 
Изобретатели: Водаков Ю.А.
Мохов Е.Н.
Роенков А. 

Реферат


Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 - 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 - 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 - 1270oС и температуре источника на 10 - 50oС выше этой температуры.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"