Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ГЕНЕРАТОР РАЗРЫВОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ - КАЧЕР НА ТРАНЗИСТОРЕ

Номер публикации патента: 2444124

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011106899/08 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K003/33    
Аналоги изобретения: RU 2003130995 А, 27.04.2005. RU 2312454 C1, 10.12.2007. RU 2195766 C2, 27.12.2002. WO 2007/103020 A2, 13.09.2007. CA 1169486 A, 19.06.1984. 

Имя заявителя: Бровин Владимир Ильич (RU) 
Изобретатели: Бровин Владимир Ильич (RU) 
Патентообладатели: Бровин Владимир Ильич (RU) 

Реферат


Изобретение относится к средствам автоматики, связи электроники и энергетики. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей генератора разрывов, за счет преобразования неэлектрических величин в ток, напряжение, частоту без преобразований, и передачи информации через сплошные среды. Генератор разрывов электрической цепи на транзисторе, отличающийся тем, что при допороговом и надпороговом напряжении источника питания в коллекторной ветви создаются условия для экстракции электронов в сторону положительного полюса источника питания, при этом заполнение объема кристалла транзистора дырками формирует кратковременный разрыв цепи в конце периода, за время которого восстанавливается исходная концентрация электронов, а в течение всего межимпульсного периода формируется напряжение на базовом электроде, из-за этого между наружными электродами внутри транзистора создается перепад напряжений, инверсный источнику питания коллекторной ветви, выравнивающийся по амплитуде вдоль всего кристалла при повышении концентрации дырок. 4 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"