Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Номер публикации патента: 2107988

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94025944 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K003/53    
Аналоги изобретения: Грехов И.В., Коротков С.В. Основные принципы построения мощных импульсных и высокочастотных генераторов на основе реверсивно включаемых динисторов, Электротехника, 1991, N 11, с.28, рис.4. 

Имя заявителя: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН 
Изобретатели: Грехов И.В.
Коротков С.В. 
Патентообладатели: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН 

Реферат


Высоковольтный переключатель относится к сильноточной полупроводниковой электронике может быть использован в лазерной и ускорительной технике, при этом решается задача повышения надежности за счет стабилизации магнитного состояния дросселя (Др) и повышающего трансформатора (Тр) и уменьшения амплитуды импульсов тока, проходящего через элементы блока запуска (БЗ), которая достигается тем, что в высоковольтный переключатель, содержащий БЗ, первый конденсатор (К), первый блок реверсивно включаемых динистров (РВД), первый диод (Д), нелинейный элемент с насыщающимся сердечником, выполненный в виде Др, повышающий Тр, причем параллельно его первой обмотке включен БЗ и соединен положительным выводом с ее началом, а первый вывод второй обмотки повышающего Тр через первый К соединен с катодом первого Д, анод Д подключен к первому выводу До, введены второй К резистор (Р), индуктивный элемент, второй Д, второй блок РВД, обмотка размагничивания Др и обмотка размагничивания повышающего Тр, выполненного с насыщающимся сердечником , второй вывод вторичной обмотки которого соединен с анодом первого блока РВД, катод которого подключен к первому выводу второго К и к катоду второго блока РВД, анод которого соединен с одним из выводов Др, катод второго Д подключен к аноду первого Д и второму выводу второго К, а анод - к первому выводу вторичной обмотки повышающего Тр, являющемуся ее началом, при этом параллельно первому К включены последовательно соединенные обмотка размагничивания Др, Р, индуктивный элемент и обмотка размагничивания повышающего Тр. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"