Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F·

Номер публикации патента: 2102835

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 95103858 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H03K019/0948    
Аналоги изобретения: 1. Хоровиц П. и Хилл У. Искусство схемотехники. В 3-х томах. Т.2 - 4-е изд. - М.: Мир, 1993, с. 105, рис. 8.19. 2. Букреев И.Н. и др. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. 3-е изд. - М.: Радио и связь, 1990, с. 52, рис. 8.19. 

Имя заявителя: Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" 
Изобретатели: Игнатьев С.М. 
Патентообладатели: Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" 

Реферат


Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в логических устройствах на комплементарных МДП транзисторах, его задачей является упрощение логического элемента, решаемой за счет изменения связей истоков первого n-МДП и второго p-МДП транзисторов 3 и 2, позволившего использовать общие p-канальный и n-канальный МДП ключи 5 и 6 для формирования логических состояний функции F по обоим выходам 10 ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) и 12 ЗАПРЕТ F по t (F·). Кроме названных компонентов, на схеме устройства обозначены первый p-канальный МДП транзистор 1, второй n-канальный МДП транзистор 4, инверсный и прямой входы 7 и 8 сигнала t, шины 9 и 11 положительного и отрицательного напряжения питания. 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"