RU 2346382 C1, 10.02.2009. RU 2364020 C1, 10.08.2009. US 7272728 A, 09.06.1981. US 4007427 A, 08.02.1977. US 3959733 A, 25.05.1976.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU) Будяков Петр Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, решающих усилителях (ОУ), компараторах и т.п.). Технический результат - создание условий, при которых выходное статическое синфазное напряжение дифференциального усилителя (ДУ) будет иметь высокую стабильность и нулевое значение. ДУ содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы (Т), базы которых соединены со входами (3) и (4) устройства, первый (5) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между объединенным эмиттером первого (1) и второго (2) входных Т и шиной первого (6) источника питания (ИП), первый (7) и второй (8) выходные Т, коллекторы которых соединены с шиной второго (9) ИП, эмиттеры связаны с соответствующими парафазными выходами (10), (11) устройства и связаны друг с другом через два последовательно соединенных первого (12) и второго (13) резисторов цепи обратной связи, первый (14) двухполюсник коллекторной нагрузки, включенный между базой первого (7) выходного Т и шиной второго (9) ИП, второй (15) двухполюсник коллекторной нагрузки, включенный между базой второго (8) выходного Т и шиной второго (9) ИП. В схему введены первый (16), второй (17) и третий (18) дополнительные Т, объединенные эмиттеры которых через первый (19) вспомогательный двухполюсник соединены с шиной первого (6) ИП, база первого (16) дополнительного Т связана с источником напряжения смещения потенциалов (20), объединенные базы второго (17) и третьего (18) дополнительных Т соединены с общим узлом последовательно соединенных первого (12) и второго (13) резисторов обратной связи, коллектор второго (17) дополнительного Т соединен с базой первого (7) выходного Т, коллектор третьего (18) дополнительного Т соединен с базой второго (8) выходного Т, причем эмиттеры первого (7) и второго (8) выходных Т связаны с шиной первого (6) ИП через соответствующие первый (21) и второй (22) вспомогательные двухполюсники. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента