US 2002/0180531 A1, 05.12.2002. RU 2193273 C2, 20.11.2002. RU 2054789 C1, 20.02.1996. SU 1529410 A1, 15.12.1989. US 5359296 A, 25.10.1994. US 4412186 A, 25.10.1983. EP 0530500 A1, 10.03.1993.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Конев Даниил Николаевич (RU) Хорунжий Андрей Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве функционального узла различных устройств усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, операционных усилителях (ОУ), стабилизаторах напряжения, компараторах). Технический результат заключается в повышении точности передачи по току. Токовое зеркало содержит входной (1) и выходной (2) транзисторы, базы которых объединены, а эмиттеры подключены к шине (3) первого источника питания, причем коллектор входного транзистора (1) связан со входом 4 токового зеркала, а коллектор выходного транзистора (2) соединен с выходом (5) токового зеркала. В схему введены первый (6) и второй (7) дополнительные транзисторы и вспомогательный инвертирующий усилитель тока (8), вход (9) которого соединен с коллектором первого (6) дополнительного транзистора, а выход (10) связан с выходом (5) токового зеркала, эмиттер второго дополнительного транзистора (7) соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора 6 и подключен ко входу (4) токового зеркала, базы первого (6) и второго (7) дополнительных транзисторов соединены с цепью установления статического потенциала (11), причем коллектор второго дополнительного транзистора (7) связан с базами входного (1) и выходного (2) транзисторов. 4 з.п. ф-лы, 23 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента