RU 2259620 C1, 27.08.2005. WO 2010060998 A2, 03.06.2010. EP 0735635 A2, 02.10.1996. RU 2309501 C1, 27.10.2007.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Слипченко Сергей Олегович (RU) Тарасов Илья Сергеевич (RU) Пихтин Никита Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. При этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению: где , , - значения составляющих фактора оптического ограничения Г для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.; NB - оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, см-1. Технический результат заключается в обеспечении увеличения выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки, а также в повышении временной стабильности выходной оптической мощности. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента
,