J.A.Skidmore and other. Appl. Phys. Lett., 66(10), 6, 1995. Классика охлаждения: Часть 4. Микроканальность - теория и реальность, Н.Воронов, 13.02.2006. SU 1811044 A1, 23.04.1993. RU 20202 U1, 20.10.2001. SU 458903 A1, 30.01.1975.
Имя заявителя:
Филоненко Владимир Александрович (RU)
Изобретатели:
Филоненко Владимир Александрович (RU) Аполлонов Виктор Викторович (RU) Державин Сергей Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Филоненко Владимир Александрович (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ мощных арсенид-галлиевых дискретных приборов и интегральных микросхем, силовых гибридных модулей, компьютерных микросхем и плат, а также может быть использовано в оптоэлектронике для исследования, разработки и производства мощных полупроводниковых лазеров, лазерных полупроводниковых матриц и лазерных систем на их основе. Техническим результатом изобретения является улучшение качества лазерного излучения за счет достижения одинаковой температуры на плоскости кристалл-корпус по всей длине кристаллов (линеек лазерных диодов), работающих в непрерывном режиме. Мощная полупроводниковая лазерная матрица состоит из полупроводниковых кристаллов (линеек лазерных диодов), из микролинз, изолирующих прокладок, электродов и кулера или системы кулеров, в верхней контактной плоскости которых имеется система микроканалов для прохождения охлаждающей жидкости. Микроканалы в верхней контактной плоскости кулеров по всей длине кристаллов Lx выполнены с переменным сечением, изменяющимся в соответствии с нелинейным температурным профилем T(Lx)IA кристаллов, при работе лазера в непрерывном режиме, с переменным шагом и в форме треугольников, вершина которых обращена в сторону лазерных диодов. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.