Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С НЕЛИНЕЙНОЙ МИКРОКАНАЛЬНОЙ СИСТЕМОЙ ОХЛАЖДЕНИЯ

Номер публикации патента: 2399130

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007102208/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/024    
Аналоги изобретения: J.A.Skidmore and other. Appl. Phys. Lett., 66(10), 6, 1995. Классика охлаждения: Часть 4. Микроканальность - теория и реальность, Н.Воронов, 13.02.2006. SU 1811044 A1, 23.04.1993. RU 20202 U1, 20.10.2001. SU 458903 A1, 30.01.1975. 

Имя заявителя: Филоненко Владимир Александрович (RU) 
Изобретатели: Филоненко Владимир Александрович (RU)
Аполлонов Виктор Викторович (RU)
Державин Сергей Игоревич (RU) 
Патентообладатели: Филоненко Владимир Александрович (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ мощных арсенид-галлиевых дискретных приборов и интегральных микросхем, силовых гибридных модулей, компьютерных микросхем и плат, а также может быть использовано в оптоэлектронике для исследования, разработки и производства мощных полупроводниковых лазеров, лазерных полупроводниковых матриц и лазерных систем на их основе. Техническим результатом изобретения является улучшение качества лазерного излучения за счет достижения одинаковой температуры на плоскости кристалл-корпус по всей длине кристаллов (линеек лазерных диодов), работающих в непрерывном режиме. Мощная полупроводниковая лазерная матрица состоит из полупроводниковых кристаллов (линеек лазерных диодов), из микролинз, изолирующих прокладок, электродов и кулера или системы кулеров, в верхней контактной плоскости которых имеется система микроканалов для прохождения охлаждающей жидкости. Микроканалы в верхней контактной плоскости кулеров по всей длине кристаллов Lx выполнены с переменным сечением, изменяющимся в соответствии с нелинейным температурным профилем T(Lx)IA кристаллов, при работе лазера в непрерывном режиме, с переменным шагом и в форме треугольников, вершина которых обращена в сторону лазерных диодов. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"