Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ТУННЕЛЬНО - СВЯЗАННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Номер публикации патента: 2396655

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009117363/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H01S005/323   B82B001/00    
Аналоги изобретения: Зверьков М.В. и др. Двойные интегральные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм. Квантовая электроника, т.38, 11, 2008, с.989-992. RU 2351047 C2, 27.03.2009. RU 2278455 C1, 20.06.2006. RU 2197049 C1, 20.01.2003. WO 0167567 A2, 13.09.2001. FR 2761537 A1, 02.10.1998. US 4063189 A, 13.12.1977. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 
Изобретатели: Тарасов Илья Сергеевич (RU)
Арсентьев Иван Никитич (RU)
Винокуров Дмитрий Анатольевич (RU)
Пихтин Никита Александрович (RU)
Симаков Владимир Александрович (RU)
Коняев Вадим Павлович (RU)
Мармалюк Александр Анатольевич (RU)
Ладугин Максим Анатольевич (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 

Реферат


Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Сущность изобретения: туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура включает подложку (1) GaAs n-типа проводимости, на которую последовательно нанесены буферный слой (2) GaAs n-типа проводимости, по меньшей мере две лазерные диодные структуры (3), разделенные туннельным переходом (4), и контактный слой (5) GaAs p+-типа проводимости. Каждая лазерная диодная структура (3) содержит первый широкозонный эмиттерный слой (6) AlGaAs n-типа проводимости, широкий волновод (7) GaAs, в центре которого расположена узкозонная квантоворазмерная активная область (8) InGaAs и второй широкозонный эмиттерный слой (9) AlGaAs p-типа проводимости. Туннельный переход (4) содержит слой (10) GaAs p+-типа проводимости, нелегированный квантоворазмерный сплошной слой (11) GaAs толщиной 40-50 ангстрем и слой (12) GaAs n-типа проводимости. Использование гетероструктуры позволяет увеличить мощность изготовленного на ее основе прибора и срок его службы. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"