|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНЖЕКЦИОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 2309501 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/32 | | Аналоги изобретения: | RU 2259620 C1, 27.08.2005. GB 1263835, 16.02.1972. SU 1179875 A, 23.09.1987. JP 2005191349, 14.07.2005. US 2003007532 A, 09.01.2003. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" (RU) | | Изобретатели: | Демидов Дмитрий Михайлович (RU)
Карпов Сергей Юрьевич (RU)
Мымрин Владимир Федорович (RU)
Тер-Мартиросян Александр Леонович (RU) | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к квантовой электронной технике и может быть использовано для накачки твердотельных лазеров. Инжекционный полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую квантово-размерную активную область с примыкающими к ней верхним и нижним дополнительными слоями, верхний и нижний волноводные слои, эмиттеры р- и n-проводимости.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента