На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР | |
Номер публикации патента: 2308795 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01S005/30 | Аналоги изобретения: | SU 1831211 A1, 27.06.1996. RU 2110874 C1, 10.05.1998. WO 9748499, 24.12.1997. US 2003007532 A, 09.01.2003. |
Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха) (RU),Шишкин Виктор Александрович (RU) | Изобретатели: | Дмитриев Виктор Васильевич (RU) Поповичев Виктор Васильевич (RU) Успенский Михаил Борисович (RU) Шишкин Виктор Александрович (RU) | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха) (RU) Шишкин Виктор Александрович (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AIIIBV и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на одной оптической грани, состоящим из переходного слоя, эпитаксиальной пленки селенида цинка, имеет переходной слой из трех подслоев, средним из которых является монослой серы.
|