На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ЛАЗЕРНОЕ УСТРОЙСТВО С НИТРИДНЫМ ПОЛУПРОВОДНИКОМ И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОДОВ К НЕМУ | |
Номер публикации патента: 2238607 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01S005/042 | Аналоги изобретения: | ЕР 971465, 12.01.2000. JP 11-004039, 06.01.1999. JP 10-163571, 19.06.1998. JP 09-246651, 19.09.1997. JP 10-321962, 04.12.1998. US 5804839, 08.09.1998. RU 2127478 С1, 10.03.1999. |
Имя заявителя: | НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP) | Изобретатели: | САНО Масахико (JP) | Патентообладатели: | НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP) |
Реферат | |
Изобретение относится к лазерному устройству с нитридным полупроводником. Предлагаемое устройство содержит подложку, нитридный полупроводниковый слой с электронной проводимостью, активный слой и нитридный полупроводниковый слой с дырочной проводимостью. Все эти слои сформированы в указанной последовательности на подложке.
|